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v FIB是將離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過離子槍加速，聚焦后作用于樣品表面，應用于：產(chǎn)生二次電子信號取得電子像，此功能與SEM相似，用強電流離子束對表面原子進行剝離,以完成微、納米級表面形貌加工，通常是以物理濺射的方式搭配化學氣體反應，有選擇性的剝除金屬，氧化硅層或沉積金屬層
v 芯片領(lǐng)域應用：IC芯片電路修改，Cross-Section 截面分析，FIB透射電鏡樣品制備，材料鑒定
v 液態(tài)金屬離子源：分辨率3nm@30kv 120nm@1kv
v 檢測器：Inlens SE、Inlens EsB、VPSE(可變氣壓二次電子探測器)、SESI（二次電子二次離子探測器）、aSTEM（掃描透射電子探測器）、aBSD（背散射探測器）
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