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Plasma Etching Cluster 多腔等離子體刻蝕系統(tǒng)

簡要描述:l方案是適用于8吋晶圓的多腔等離子體刻蝕工藝系統(tǒng)l系統(tǒng)可用于研發(fā)和小批量生產(chǎn)l系統(tǒng)兼容8吋、6吋、4吋、3吋晶圓和不規(guī)則碎片;不同尺寸樣片之間的切換、無需反應腔的開腔破真空l系統(tǒng)包括:一個六端口的轉(zhuǎn)接腔、帶機械手

基礎(chǔ)信息

產(chǎn)品型號

廠商性質(zhì)

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更新時間

2024-10-22

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詳細介紹

l   方案是適用于 8 吋晶圓的多腔等離子體刻蝕工藝系統(tǒng)

l   系統(tǒng)可用于研發(fā)和小批量生產(chǎn)

l   系統(tǒng)兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圓和不規(guī)則碎片;不同尺寸樣片之間的切換、無需反應腔的開腔破真空

l   系統(tǒng)包括:

一個六端口的轉(zhuǎn)接腔、帶機械手。

六個端口分別連接:

1)一個ICP-RIE 刻蝕腔模塊:專用于刻蝕鈮酸鋰

2)一個ICP-RIE 刻蝕腔模塊:配氟基氣體,主要用于刻蝕介質(zhì)、光刻膠去等

3)一個 RIE 刻蝕腔模塊:配氯基氣體,主要用于刻蝕金屬等

4)一個 loadlock 預真空室模塊:用于單片樣品的手動送樣

5)一個真空片盒站模塊:用于多片片盒的自動送樣

6)一個端口備用,未來可升級增加 1 個刻蝕或沉積反應腔模塊


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