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化學(xué)氣相沉積MOCVD

簡(jiǎn)要描述:vMOCVD設(shè)備是通過(guò)將反應(yīng)物質(zhì)以有機(jī)金屬化合物氣體分子的形式

基礎(chǔ)信息

產(chǎn)品型號(hào)

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更新時(shí)間

2024-10-22

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詳細(xì)介紹

v MOCVD設(shè)備是通過(guò)將反應(yīng)物質(zhì)以有機(jī)金屬化合物氣體分子的形式,經(jīng)載帶氣體送到反應(yīng)室,進(jìn)行熱分解反應(yīng)而生長(zhǎng)出薄膜材料

v 應(yīng)用方向:Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等等

v 從研發(fā)到大規(guī)模生產(chǎn)

v 襯底尺寸:3x2 inch、1x4 inch、1x3 inch、1x2 inch

通過(guò)載波交換實(shí)現(xiàn):6 x 2 inch、3 x 3 inch1 x 6 inch

v Ga2O3薄膜生長(zhǎng)速率:>3um/h

v Ga2O3薄膜表面粗糙度:5umx5um范圍由AFMGa2O3襯底上測(cè)量 ≤1.0 nm

v 加熱系統(tǒng):采用鎢絲加熱,三溫區(qū)控制,溫度至1400

v 反應(yīng)腔室內(nèi)托盤(pán)與噴淋頭間距可調(diào)(范圍覆蓋5 mm25 mm

v 工藝過(guò)程中,具有實(shí)時(shí)晶圓表面溫度和晶圓翹曲度監(jiān)測(cè)功能

v 搭載溫度監(jiān)測(cè)系統(tǒng),可實(shí)時(shí)掃描晶圓溫度mapping

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