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離子注入機

簡要描述:v單價離子加速能量≥200keV

基礎(chǔ)信息

產(chǎn)品型號

廠商性質(zhì)

代理商

更新時間

2024-10-22

瀏覽次數(shù)

222
詳細介紹

v 單價離子加速能量200keV,并增加減速系統(tǒng)實現(xiàn)單價離子在5keV~200keV的能量范圍

v 可用于2、3、46、8英寸晶圓以及不規(guī)則碎片

v 可注入B、P、As、AlS、H、MgSi離子

v 注入劑量精準(zhǔn)度1.5%

v 離子注入劑量范圍:1×1011 at/cm21×1016 at/cm2

v 離子源部分:離子源、離子源氣體系統(tǒng)和離子源引出系統(tǒng)

v 離子源系統(tǒng)搭載5套從固體蒸發(fā)源產(chǎn)生離子的Vaporizer,溫度達700℃,實現(xiàn)固態(tài)源的離子注入

v 離子注入傾斜角度在

v 室溫臺:;高溫臺:

v 束流調(diào)整系統(tǒng)主要包括:質(zhì)量分析器、束流匯聚系統(tǒng)、加速系統(tǒng)、掃描系統(tǒng)、束流檢測和高壓絕緣變壓器

v 真空系統(tǒng)主要包括:Ion Source真空系統(tǒng)、Beam Line真空系統(tǒng)、End Station真空系統(tǒng)、真空系統(tǒng)中的真空管件和閥門以及真空檢測單元

v 真空度:

Ion Source真空度:≤7×10-4Pa

Beam Line真空度:≤7×10-5Pa

End Station真空度:≤7×10-5Pa

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